Prof. Antonio Di BartolomeoPresentazione Ricerca
Descrizione dell’attività del gruppo:
L’attività di ricerca del gruppo è fortemente focalizzata sullo sviluppo di dispositivi nanometrici al graphene ed altri materiali bidimensionali (come i calcogenuri di metalli di transizione), quali transistor ad effetto di campo, diodi e giunzioni. In particolare, grande attenzione è dedicata alla fabbricazione e caratterizzazione elettrica di transistor ad effetto di campo (FET), studiando in particolare gli effetti dei contatti metallici e delle dimensioni geometriche del canale. L’analisi della resistenza di contatto all’interfaccia graphene/metallo è stata oggetto di numerosi esperimenti e studi al fine di raggiungere un opportuno modello teorico in grado di spiegare le osservazioni sperimentali. Numerose sono le pubblicazioni internazionali che riassumono i diversi risultati di rilievo, quali l’effetto della natura del metallo sulla resistenza di contatto, l’effetto della polarizzazione di gate e dei contaminanti dovuti ai processi di nanolitografia elettronica. Inoltre grande attenzione è stata rivolta allo studio e modellizzazione di caratteristiche inusuali (come asimmetria o doppi minimi di conduttanza) nelle caratteristiche di trasferimento di transistor di grafene. Infine, recentemente lo studio è stato rivolto anche alla caratterizzazione del trasporto elettrico in eterogiunzionigrafene / semiconduttori e il loro possibile uso come dispositivi fotoelettrici, celle fotovoltaiche e/o sensori chimici.
Gruppo di Ricerca:
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Publicazioni
Di Bartolomeo, A., Giubileo, F., Grillo, A., Luongo, G., Iemmo, L., Urban, F., Lozzi, L., Capista, D., Nardone, M., Passacantando, M., Bias tunable photocurrent in metal-insulator-semiconductor heterostructures with photoresponse enhanced by carbon nanotubes, (2019) Nanomaterials, 9 (11), art. no. 1598, DOI: 10.3390/nano9111598
Di Bartolomeo, A., Pelella, A., Liu, X., Miao, F., Passacantando, M., Giubileo, F., Grillo, A., Iemmo, L., Urban, F., Liang, S.-J., Pressure-TunableAmbipolar Conduction and Hysteresis in Thin Palladium Diselenide Field Effect Transistors, (2019) Advanced Functional Materials, 29 (29), art. no. 1902483, DOI: 10.1002/adfm.201902483
Di Bartolomeo, A., Urban, F., Passacantando, M., McEvoy, N., Peters, L., Iemmo, L., Luongo, G., Romeo, F., Giubileo, F., A WSe 2 vertical field emission transistor, (2019) Nanoscale, 11 (4), pp. 1538-1548. DOI: 10.1039/c8nr09068h
Titoli
In costruzione .......
Progetti
In costruzione .........
